1EDN7116GXTMA1 vs 1ED3127MU12FXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7116GXTMA1 par Infineon et 1ED3127MU12FXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 1EDN7116GXTMA1 | 1ED3127MU12FXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,84 | $0,74 |
| Fonction | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs | Single-channel isolated gate driver |
| Driver Configuration | Non-inverting, single low-side | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| Peak Source Current | 2 A (typ) | — |
| Peak Sink Current | 4 A (typ) | — |
| Input Type | Truly Differential Input (TDI) | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Switch-Node Blocking Voltage | 200 V (max) | — |
| Propagation Delay (Typ) | 9 ns | — |
| Rise Time (Typ) | 3 ns | — |
| Fall Time (Typ) | 3 ns | — |
| Quiescent Current (Typ) | 0.6 mA | — |
| Miller Clamp | Integrated, active | — |
| UVLO | Yes (VCC and gate-rail monitored) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40 °C to +125 °C | -40C to +125C |
| Boîtier | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) | PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | MSL3 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Target Switch Technology | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET | — |
| Nombre de sorties | — | 1 |
| Configuration de sortie | — | High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting |
| Peak Output Current | — | 10 A (source/sink) |
| Continuous Output Current | — | 9 A |
| Supply Voltage (VCC2 secondary) | — | 12 V to 35 V |
| Supply Voltage (VCC1 primary) | — | 3 V to 5.5 V |
| Propagation Delay (typ.) | — | 15 ns |
| Delay Matching (typ.) | — | 30 ns |
| Galvanic Isolation | — | 3000 Vrms (coreless transformer) |
| Protection Features | — | Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection |
| Drives | — | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET |