1EDN7116GXTMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7116GXTMA1 von Infineon und 1EDN7126GXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7116GXTMA1 1EDN7126GXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,84 $0,29
Funktion Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) 1.5 A
Peak Sink Current 4 A (typ) 1.5 A
Input Type Truly Differential Input (TDI) Truly Differential Input (TDI)
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) —
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +125 °C -40C to +125C
Gehäuse PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) PG-VSON-10-4
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level MSL3 [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)

Datenblätter & Ressourcen

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