1EDN7116GXTMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7116GXTMA1 par Infineon et 1EDN7126GXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN7116GXTMA1 1EDN7126GXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,84 $0,29
Fonction Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) 1.5 A
Peak Sink Current 4 A (typ) 1.5 A
Input Type Truly Differential Input (TDI) Truly Differential Input (TDI)
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) —
Plage de température de fonctionnement -40 °C to +125 °C -40C to +125C
Boîtier PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) PG-VSON-10-4
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL3 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)

Fiches techniques et ressources

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