1EDN7116GXTMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDN7116GXTMA1 por Infineon y 1EDN7126GXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDN7116GXTMA1 1EDN7126GXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,84 $0,29
Función Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) 1.5 A
Peak Sink Current 4 A (typ) 1.5 A
Input Type Truly Differential Input (TDI) Truly Differential Input (TDI)
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 °C to +125 °C -40C to +125C
Encapsulado PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) PG-VSON-10-4
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL3 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)

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