1EDN7116GXTMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EDN7116GXTMA1 por Infineon e 1EDN7126GXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1EDN7116GXTMA1 1EDN7126GXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,84 $0,29
Função Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) 1.5 A
Peak Sink Current 4 A (typ) 1.5 A
Input Type Truly Differential Input (TDI) Truly Differential Input (TDI)
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) —
Faixa de temperatura de operação -40 °C to +125 °C -40C to +125C
Encapsulamento PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) PG-VSON-10-4
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL3 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)

Fichas técnicas e recursos

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