2ED2103S06FXUMA1 vs IR2104SPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2ED2103S06FXUMA1 von Infineon und IR2104SPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2ED2103S06FXUMA1 IR2104SPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,94 $0,41
Funktion Half-Bridge Gate Driver Half-bridge gate driver
Configuration Non-Inverting High and Low Side
Technology High-Voltage Level Shift (SOI) —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type IGBT, N-Channel MOSFET —
High-Side Offset Voltage (Max) 650 V —
Bootstrap Voltage (Max) 675 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Bootstrap Diode Integrated —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Gehäuse PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) 8-pin SOIC
Montageart Surface Mount —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C -40 C to +125 C
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS-Status Compliant Compliant (PBF suffix indicates lead-free)
Input Type — Logic (non-inverting)
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Range (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source Current — 130 mA typical
Output Sink Current — 270 mA typical
Propagation Delay — 680 ns typical
Anstiegszeit — 160 ns typical
Abfallzeit — 60 ns typical
Undervoltage Lockout — Yes (VCC UVLO)
Deadtime — Internally set
Cross-Conduction Prevention — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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