2ED2103S06FXUMA1 vs IR2104SPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2ED2103S06FXUMA1 por Infineon e IR2104SPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2ED2103S06FXUMA1 IR2104SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,94 $0,41
Função Half-Bridge Gate Driver Half-bridge gate driver
Configuration Non-Inverting High and Low Side
Technology High-Voltage Level Shift (SOI) —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type IGBT, N-Channel MOSFET —
High-Side Offset Voltage (Max) 650 V —
Bootstrap Voltage (Max) 675 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Bootstrap Diode Integrated —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Encapsulamento PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) 8-pin SOIC
Tipo de montagem Surface Mount —
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C -40 C to +125 C
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Status RoHS Compliant Compliant (PBF suffix indicates lead-free)
Input Type — Logic (non-inverting)
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Range (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source Current — 130 mA typical
Output Sink Current — 270 mA typical
Propagation Delay — 680 ns typical
Tempo de subida — 160 ns typical
Tempo de descida — 60 ns typical
Undervoltage Lockout — Yes (VCC UVLO)
Deadtime — Internally set
Cross-Conduction Prevention — Yes

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação