2ED2103S06FXUMA1 vs IR2104SPBF 比較

詳細な並列比較: 2ED2103S06FXUMA1 メーカー: Infineon および IR2104SPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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2ED2103S06FXUMA1 2ED2103S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2103S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2103S06FXUMA1 ✓ 生産中
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IR2104SPBF IR2104SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IR2104SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IR2104SPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2ED2103S06FXUMA1 IR2104SPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.94 $0.41
機能 Half-Bridge Gate Driver Half-bridge gate driver
Configuration Non-Inverting High and Low Side
Technology High-Voltage Level Shift (SOI) —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type IGBT, N-Channel MOSFET —
High-Side Offset Voltage (Max) 650 V —
Bootstrap Voltage (Max) 675 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Bootstrap Diode Integrated —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
パッケージ PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) 8-pin SOIC
実装タイプ Surface Mount —
動作温度範囲 -40C to +125C -40 C to +125 C
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS ステータス Compliant Compliant (PBF suffix indicates lead-free)
Input Type — Logic (non-inverting)
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Range (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source Current — 130 mA typical
Output Sink Current — 270 mA typical
Propagation Delay — 680 ns typical
立ち上がり時間 — 160 ns typical
立ち下がり時間 — 60 ns typical
Undervoltage Lockout — Yes (VCC UVLO)
Deadtime — Internally set
Cross-Conduction Prevention — Yes

データシート&リソース

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