2ED2103S06FXUMA1 vs IR2104SPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2ED2103S06FXUMA1 por Infineon y IR2104SPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2ED2103S06FXUMA1 IR2104SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,94 $0,41
Función Half-Bridge Gate Driver Half-bridge gate driver
Configuration Non-Inverting High and Low Side
Technology High-Voltage Level Shift (SOI) —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type IGBT, N-Channel MOSFET —
High-Side Offset Voltage (Max) 650 V —
Bootstrap Voltage (Max) 675 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Bootstrap Diode Integrated —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Encapsulado PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) 8-pin SOIC
Tipo de montaje Surface Mount —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40 C to +125 C
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Estado RoHS Compliant Compliant (PBF suffix indicates lead-free)
Input Type — Logic (non-inverting)
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Range (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source Current — 130 mA typical
Output Sink Current — 270 mA typical
Propagation Delay — 680 ns typical
Tiempo de subida — 160 ns typical
Tiempo de bajada — 60 ns typical
Undervoltage Lockout — Yes (VCC UVLO)
Deadtime — Internally set
Cross-Conduction Prevention — Yes

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