2ED2106S06FXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2ED2106S06FXUMA1 von Infineon und 1ED3142MC12HXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2ED2106S06FXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $1,32
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Inverting, Non-Inverting
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns 40 ns
Anzahl der Ausgänge 2 (1 high-side, 1 low-side) 2 (separate source/sink)
Number of Drivers 2 —
Anzahl der Pins 8 —
Gehäuse PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Ausgangstyp Half-Bridge, Non-Inverting —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Coreless transformer (galvanic)
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Number of Channels — 1
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

Datenblätter & Ressourcen

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