2ED2106S06FXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 比較

詳細な並列比較: 2ED2106S06FXUMA1 メーカー: Infineon および 1ED3142MC12HXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2ED2106S06FXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.78 $1.32
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Inverting, Non-Inverting
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns 40 ns
出力数 2 (1 high-side, 1 low-side) 2 (separate source/sink)
Number of Drivers 2 —
ピン数 8 —
パッケージ PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
動作温度範囲 -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
出力タイプ Half-Bridge, Non-Inverting —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Coreless transformer (galvanic)
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Number of Channels — 1
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

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