2ED2106S06FXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2ED2106S06FXUMA1 por Infineon e 1ED3142MC12HXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2ED2106S06FXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $1,32
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Inverting, Non-Inverting
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns 40 ns
Número de saídas 2 (1 high-side, 1 low-side) 2 (separate source/sink)
Number of Drivers 2 —
Número de pinos 8 —
Encapsulamento PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Tipo de saída Half-Bridge, Non-Inverting —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Coreless transformer (galvanic)
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Number of Channels — 1
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

Fichas técnicas e recursos

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