2ED2106S06FXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2ED2106S06FXUMA1 por Infineon y 1ED3142MC12HXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2ED2106S06FXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $1,32
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Inverting, Non-Inverting
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns 40 ns
Número de salidas 2 (1 high-side, 1 low-side) 2 (separate source/sink)
Number of Drivers 2 —
Número de pines 8 —
Encapsulado PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Tipo de salida Half-Bridge, Non-Inverting —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Coreless transformer (galvanic)
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Number of Channels — 1
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

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