2ED2106S06FXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2ED2106S06FXUMA1 par Infineon et 1ED3142MC12HXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2ED2106S06FXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $1,32
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Inverting, Non-Inverting
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns 40 ns
Nombre de sorties 2 (1 high-side, 1 low-side) 2 (separate source/sink)
Number of Drivers 2 —
Nombre de broches 8 —
Boîtier PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Type de sortie Half-Bridge, Non-Inverting —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Coreless transformer (galvanic)
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Number of Channels — 1
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

Fiches techniques et ressources

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