2ED21834S06JXUMA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2ED21834S06JXUMA1 von Infineon und 2ED2108S06FXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2ED21834S06JXUMA1 2ED2108S06FXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,89 $0,30
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes Yes
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Gehäuse PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Anzahl der Pins 14 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +125 °C —
RoHS-Status Compliant Compliant
Standard Reel Quantity 3000 —
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 1
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
Anzahl der Ausgänge — 2 (high-side + low-side)
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB)
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]
Betriebstemperatur — -40 C to +125 C
MSL-Level — 1

Datenblätter & Ressourcen

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