2ED21834S06JXUMA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 比較

詳細な並列比較: 2ED21834S06JXUMA1 メーカー: Infineon および 2ED2108S06FXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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2ED21834S06JXUMA1 2ED21834S06JXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21834S06JXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21834S06JXUMA1 ✓ 生産中
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2ED2108S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2108S06FXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2108S06FXUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2ED21834S06JXUMA1 2ED2108S06FXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.89 $0.30
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes Yes
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
パッケージ PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
ピン数 14 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -40 °C to +125 °C —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Standard Reel Quantity 3000 —
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 1
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
出力数 — 2 (high-side + low-side)
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB)
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]
動作温度 — -40 C to +125 C
MSLレベル — 1

データシート&リソース

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