2ED21834S06JXUMA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2ED21834S06JXUMA1 par Infineon et 2ED2108S06FXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2ED21834S06JXUMA1 2ED2108S06FXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,89 $0,30
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes Yes
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Boîtier PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Nombre de broches 14 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -40 °C to +125 °C —
Statut RoHS Compliant Compliant
Standard Reel Quantity 3000 —
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 1
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
Nombre de sorties — 2 (high-side + low-side)
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB)
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]
Température de fonctionnement — -40 C to +125 C
Niveau MSL — 1

Fiches techniques et ressources

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