2ED21834S06JXUMA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок 2ED21834S06JXUMA1 от Infineon и 2ED2108S06FXUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
2ED21834S06JXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon
2ED21834S06JXUMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | 2ED21834S06JXUMA1 | 2ED2108S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,89 | $0,30 |
| Product Type | Half-Bridge Gate Driver IC | — |
| Configuration | Half-bridge (high-side + low-side) | — |
| Maximum Offset Voltage (VBS) | 650 V | — |
| Typical Sink Current | 2.5 A | — |
| Typical Source Current | 2.5 A | — |
| Input Logic | Non-Inverting | — |
| Integrated Bootstrap Diode | Yes | Yes |
| Technology | SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage | — |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | Yes (VCC and VBS) | — |
| Корпус | PG-DSO-14-49 (DSO-14) | PG-DSO-8-53 (DSO-8) |
| Количество выводов | 14 | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -40 °C to +125 °C | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Standard Reel Quantity | 3000 | — |
| Driver Configuration | — | Half-Bridge |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Gate Type | — | N-Channel MOSFET, IGBT |
| Количество выходов | — | 2 (high-side + low-side) |
| Logic Input | — | Non-Inverting |
| Input Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| High-Side Bootstrap Voltage Rating | — | 650 V |
| Peak Source Current (typ.) | — | 0.29 A |
| Peak Sink Current (typ.) | — | 0.7 A |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | — | Yes (VCC and VB) |
| Propagation Delay (typ.) | — | [DATA_NEEDED: propagation delay ns] |
| Rise / Fall Time (typ.) | — | [DATA_NEEDED: tr/tf ns] |
| Рабочая температура | — | -40 C to +125 C |
| Уровень MSL | — | 1 |