AS4C512M16D4-75BIN vs K4A8G165WB-BCTD Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von AS4C512M16D4-75BIN von Alliance Memory und K4A8G165WB-BCTD von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | AS4C512M16D4-75BIN | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marke | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,99 | $37,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Access Time | 18 ns | — |
| Write Cycle Time | 15 ns | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Gehäuse | 96-FBGA (7.5x13) | 96-ball FBGA |
| Betriebstemperatur | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (TC) |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Schnittstelle | POD | — |
| Datenrate | 2666 Mbps | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Eigenschaften | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Speicherorganisation | — | 512M x 16 |
| Total Density | — | 8 Gb |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| tRCD | — | [DATA_NEEDED: tRCD value] |
| tRP | — | [DATA_NEEDED: tRP value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |