AS4C512M16D4-75BIN vs K4A8G165WB-BCTD Comparación
Comparación detallada lado a lado de AS4C512M16D4-75BIN por Alliance Memory y K4A8G165WB-BCTD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | AS4C512M16D4-75BIN | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,99 | $37,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Access Time | 18 ns | — |
| Write Cycle Time | 15 ns | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Encapsulado | 96-FBGA (7.5x13) | 96-ball FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (TC) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Interfaz | POD | — |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) |
| Número de pines | 96 | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Características | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Organización de memoria | — | 512M x 16 |
| Total Density | — | 8 Gb |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| tRCD | — | [DATA_NEEDED: tRCD value] |
| tRP | — | [DATA_NEEDED: tRP value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |