AS4C512M16D4-75BIN vs K4A8G165WB-BCTD 比較
詳細な並列比較: AS4C512M16D4-75BIN メーカー: Alliance Memory および K4A8G165WB-BCTD メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | AS4C512M16D4-75BIN | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| ブランド | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $8.99 | $37.00 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Access Time | 18 ns | — |
| Write Cycle Time | 15 ns | — |
| 電源電圧 | 1.2 V | 1.2 V |
| パッケージ | 96-FBGA (7.5x13) | 96-ball FBGA |
| 動作温度 | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (TC) |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| インターフェース | POD | — |
| データレート | 2666 Mbps | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) |
| ピン数 | 96 | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| 特長 | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| メモリ構成 | — | 512M x 16 |
| Total Density | — | 8 Gb |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| tRCD | — | [DATA_NEEDED: tRCD value] |
| tRP | — | [DATA_NEEDED: tRP value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |