AS4C512M16D4-75BIN vs K4A8G165WB-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de AS4C512M16D4-75BIN par Alliance Memory et K4A8G165WB-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | AS4C512M16D4-75BIN | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,99 | $37,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Access Time | 18 ns | — |
| Write Cycle Time | 15 ns | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Boîtier | 96-FBGA (7.5x13) | 96-ball FBGA |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (TC) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Interface | POD | — |
| Débit de données | 2666 Mbps | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Caractéristiques | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 16 |
| Total Density | — | 8 Gb |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| tRCD | — | [DATA_NEEDED: tRCD value] |
| tRP | — | [DATA_NEEDED: tRP value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |