AS4C512M16D4-75BIN vs K4A8G165WB-BCTD Сравнение
Подробное сравнение бок о бок AS4C512M16D4-75BIN от Alliance Memory и K4A8G165WB-BCTD от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | AS4C512M16D4-75BIN | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Бренд | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $8,99 | $37,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Access Time | 18 ns | — |
| Write Cycle Time | 15 ns | — |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Корпус | 96-FBGA (7.5x13) | 96-ball FBGA |
| Рабочая температура | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (TC) |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Интерфейс | POD | — |
| Скорость передачи данных | 2666 Mbps | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) |
| Количество выводов | 96 | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Особенности | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Организация памяти | — | 512M x 16 |
| Total Density | — | 8 Gb |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| tRCD | — | [DATA_NEEDED: tRCD value] |
| tRP | — | [DATA_NEEDED: tRP value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |