AS4C512M16D4B-62BCNTR vs H5AN8G6NAFR-UHC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von AS4C512M16D4B-62BCNTR von Alliance Memory und H5AN8G6NAFR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | AS4C512M16D4B-62BCNTR | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| Marke | Alliance Memory | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,10 | $5,74 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| Datenrate | 3200 MT/s | 2400 MT/s |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| CAS-Latenz | 19 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Versorgungsspannung | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | 1.2 V |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (7.5x13 mm) | FBGA-96 |
| Betriebstemperatur | 0°C to 95°C | 0°C to +85°C |
| Montageart | Surface Mount | — |
| JEDEC Standard | Compliant | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Revision | Rev.B | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 8 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Halogenfrei | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Refresh | — | Auto self-refresh |