AS4C512M16D4B-62BCNTR vs H5AN8G6NAFR-UHC 对比

详细并排对比 AS4C512M16D4B-62BCNTR 出自 Alliance Memory 和 H5AN8G6NAFR-UHC 出自 SK hynix。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ 量产中
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ 量产中

规格对比

参数 AS4C512M16D4B-62BCNTR H5AN8G6NAFR-UHC
品牌 Alliance Memory SK hynix
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $8.10 $5.74
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
存储容量 8 Gbit (512M x 16) —
数据速率 3200 MT/s 2400 MT/s
Clock Frequency 1600 MHz —
CAS 延迟 19 ns [DATA_NEEDED: CAS Latency]
电源电压 1.2 V (1.14V to 1.26V) 1.2 V
接口 Parallel —
封装 96-FBGA (7.5x13 mm) FBGA-96
工作温度 0°C to 95°C 0°C to +85°C
安装类型 Surface Mount —
JEDEC Standard Compliant —
存储组织 512M x 16 512M x 16
Revision Rev.B —
RoHS 状态 Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Density — 8 Gb
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
无卤 — Yes
RoHS Compliant — Yes
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Refresh — Auto self-refresh

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