AS4C512M16D4B-62BCNTR vs H5AN8G6NAFR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de AS4C512M16D4B-62BCNTR par Alliance Memory et H5AN8G6NAFR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ Actif
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre AS4C512M16D4B-62BCNTR H5AN8G6NAFR-UHC
Marque Alliance Memory SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,10 $5,74
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gbit (512M x 16) —
Débit de données 3200 MT/s 2400 MT/s
Clock Frequency 1600 MHz —
Latence CAS 19 ns [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Tension d'alimentation 1.2 V (1.14V to 1.26V) 1.2 V
Interface Parallel —
Boîtier 96-FBGA (7.5x13 mm) FBGA-96
Température de fonctionnement 0°C to 95°C 0°C to +85°C
Type de montage Surface Mount —
JEDEC Standard Compliant —
Organisation de la mémoire 512M x 16 512M x 16
Revision Rev.B —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Density — 8 Gb
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Sans halogène — Yes
RoHS Compliant — Yes
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Refresh — Auto self-refresh

Fiches techniques et ressources

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