AS4C512M16D4B-62BCNTR vs H5AN8G6NAFR-UHC Comparación
Comparación detallada lado a lado de AS4C512M16D4B-62BCNTR por Alliance Memory y H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | AS4C512M16D4B-62BCNTR | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,10 | $5,74 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| Velocidad de datos | 3200 MT/s | 2400 MT/s |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| Latencia CAS | 19 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Tensión de alimentación | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | 1.2 V |
| Interfaz | Parallel | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (7.5x13 mm) | FBGA-96 |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to 95°C | 0°C to +85°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| JEDEC Standard | Compliant | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Revision | Rev.B | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 8 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Sin halógenos | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Refresh | — | Auto self-refresh |