AS4C512M16D4B-62BCNTR vs H5AN8G6NAFR-UHC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de AS4C512M16D4B-62BCNTR por Alliance Memory e H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ Ativo
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro AS4C512M16D4B-62BCNTR H5AN8G6NAFR-UHC
Marca Alliance Memory SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,10 $5,74
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 8 Gbit (512M x 16) —
Taxa de dados 3200 MT/s 2400 MT/s
Clock Frequency 1600 MHz —
Latência CAS 19 ns [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Tensão de alimentação 1.2 V (1.14V to 1.26V) 1.2 V
Interface Parallel —
Encapsulamento 96-FBGA (7.5x13 mm) FBGA-96
Temperatura de operação 0°C to 95°C 0°C to +85°C
Tipo de montagem Surface Mount —
JEDEC Standard Compliant —
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
Revision Rev.B —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Density — 8 Gb
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Livre de halogênio — Yes
RoHS Compliant — Yes
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Refresh — Auto self-refresh

Fichas técnicas e recursos

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