BSC039N06NSATMA1 vs IPB038N12N3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC039N06NSATMA1 von Infineon und IPB038N12N3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC039N06NSATMA1 IPB038N12N3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,46 $1,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.9 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Power Dissipation at TA (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at TC (PD) 69 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +150C —
Gehäuse PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Anzahl der Pins 8 —
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Technology OptiMOS 5 (TrenchFET-style) OptiMOS trench MOSFET
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 120V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 120 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 300 W
On-State Resistance (Rds(on)) — 3.8 mOhm (typical)
Gehäuse / Bauform — PG-TO263-3 (D2PAK)
Gate Drive — Logic-level compatible
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C (junction)
Standard Package Quantity — 1000 (Tape & Reel)
Avalanche Rated — Yes

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