BSC039N06NSATMA1 vs IPB038N12N3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC039N06NSATMA1 por Infineon y IPB038N12N3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC039N06NSATMA1 IPB038N12N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,46 $1,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.9 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Power Dissipation at TA (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at TC (PD) 69 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +150C —
Encapsulado PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Número de pines 8 —
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Technology OptiMOS 5 (TrenchFET-style) OptiMOS trench MOSFET
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 120V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 120 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 300 W
On-State Resistance (Rds(on)) — 3.8 mOhm (typical)
Encapsulado / Carcasa — PG-TO263-3 (D2PAK)
Gate Drive — Logic-level compatible
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C (junction)
Standard Package Quantity — 1000 (Tape & Reel)
Avalanche Rated — Yes

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