BSC039N06NSATMA1 vs IPB038N12N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC039N06NSATMA1 por Infineon e IPB038N12N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC039N06NSATMA1 IPB038N12N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,46 $1,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.9 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Power Dissipation at TA (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at TC (PD) 69 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Número de pinos 8 —
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Technology OptiMOS 5 (TrenchFET-style) OptiMOS trench MOSFET
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Status RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 120V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 120 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 300 W
On-State Resistance (Rds(on)) — 3.8 mOhm (typical)
Encapsulamento / Caixa — PG-TO263-3 (D2PAK)
Gate Drive — Logic-level compatible
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C (junction)
Standard Package Quantity — 1000 (Tape & Reel)
Avalanche Rated — Yes

Fichas técnicas e recursos

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