BSC039N06NSATMA1 vs IPB038N12N3GATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSC039N06NSATMA1 제조: Infineon 및 IPB038N12N3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSC039N06NSATMA1 | IPB038N12N3GATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.46 | $1.78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.9 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | — |
| Power Dissipation at TA (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC (PD) | 69 W | — |
| 동작 접합 온도 | -55C to +150C | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 8 | — |
| Gate Drive Voltage (VGS) | ±20 V max | — |
| Technology | OptiMOS 5 (TrenchFET-style) | OptiMOS trench MOSFET |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 120V |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | — | 120 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 300 W |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | 3.8 mOhm (typical) |
| 패키지 / 케이스 | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| 동작 온도 범위 | — | -55C to +175C (junction) |
| Standard Package Quantity | — | 1000 (Tape & Reel) |
| Avalanche Rated | — | Yes |