BSC039N06NSATMA1 vs IPB038N12N3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC039N06NSATMA1 par Infineon et IPB038N12N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC039N06NSATMA1 IPB038N12N3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,46 $1,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.9 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Power Dissipation at TA (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at TC (PD) 69 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 8 —
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Technology OptiMOS 5 (TrenchFET-style) OptiMOS trench MOSFET
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 120V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 120 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 300 W
On-State Resistance (Rds(on)) — 3.8 mOhm (typical)
Boîtier / Format — PG-TO263-3 (D2PAK)
Gate Drive — Logic-level compatible
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C (junction)
Standard Package Quantity — 1000 (Tape & Reel)
Avalanche Rated — Yes

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis