BSC100N10NSFGATMA1 vs BSC265N10LSFGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC100N10NSFGATMA1 von Infineon und BSC265N10LSFGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC100N10NSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,49 $0,72
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS OptiMOS 2
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 2 (TrenchFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID), Ta 11.4 A —
Continuous Drain Current (ID), Tc 90 A —
Power Dissipation (PD), Tc 156 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 10 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Gehäuse PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (for rated RDS(on)) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 6.5 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 78 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes

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