BSC100N10NSFGATMA1 vs BSC265N10LSFGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC100N10NSFGATMA1 por Infineon e BSC265N10LSFGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC100N10NSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,49 $0,72
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS OptiMOS 2
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 2 (TrenchFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID), Ta 11.4 A —
Continuous Drain Current (ID), Tc 90 A —
Power Dissipation (PD), Tc 156 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 10 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Encapsulamento PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (for rated RDS(on)) —
Status RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 6.5 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 78 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes

Fichas técnicas e recursos

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