BSC100N10NSFGATMA1 vs BSC265N10LSFGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC100N10NSFGATMA1 por Infineon y BSC265N10LSFGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC100N10NSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,49 $0,72
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS OptiMOS 2
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 2 (TrenchFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID), Ta 11.4 A —
Continuous Drain Current (ID), Tc 90 A —
Power Dissipation (PD), Tc 156 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 10 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Encapsulado PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (for rated RDS(on)) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 6.5 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 78 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes

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