BSC100N10NSFGATMA1 vs BSC265N10LSFGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC100N10NSFGATMA1 par Infineon et BSC265N10LSFGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC100N10NSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,49 $0,72
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS OptiMOS 2
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 2 (TrenchFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID), Ta 11.4 A —
Continuous Drain Current (ID), Tc 90 A —
Power Dissipation (PD), Tc 156 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 10 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Boîtier PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (for rated RDS(on)) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 6.5 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 78 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis