BSS127H6327XTSA2 vs BSS123IXTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS127H6327XTSA2 von Infineon und BSS123IXTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS127H6327XTSA2 BSS123IXTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,03 $0,11
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +150 C —
Gehäuse SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT-23-3 (SOT-23-3)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 —
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS-Status Compliant (lead-free) —
Halogenfrei Yes, per IEC 61249-2-21 —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS Small-Signal
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
RDS(on) (typical, VGS=10 V) — 2.4 ohm
RDS(on) (max per family datasheet) — 6 ohm
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (per family datasheet)
Qualification — Industrial
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free / RoHS — Yes (per distributor listing)
Gate Drive Logic Level — Logic-level compatible

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