BSS127H6327XTSA2 vs BSS123IXTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSS127H6327XTSA2 제조: Infineon 및 BSS123IXTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSS127H6327XTSA2 BSS123IXTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.03 $0.11
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
동작 접합 온도 -55 C to +150 C —
패키지 SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT-23-3 (SOT-23-3)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 —
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS 상태 Compliant (lead-free) —
할로겐 프리 Yes, per IEC 61249-2-21 —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS Small-Signal
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
RDS(on) (typical, VGS=10 V) — 2.4 ohm
RDS(on) (max per family datasheet) — 6 ohm
동작 온도 범위 — -55C to +150C (per family datasheet)
Qualification — Industrial
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free / RoHS — Yes (per distributor listing)
Gate Drive Logic Level — Logic-level compatible

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청