BSS127H6327XTSA2 vs BSS123IXTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS127H6327XTSA2 por Infineon y BSS123IXTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS127H6327XTSA2 BSS123IXTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,03 $0,11
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +150 C —
Encapsulado SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT-23-3 (SOT-23-3)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 —
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Estado RoHS Compliant (lead-free) —
Sin halógenos Yes, per IEC 61249-2-21 —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS Small-Signal
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
RDS(on) (typical, VGS=10 V) — 2.4 ohm
RDS(on) (max per family datasheet) — 6 ohm
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (per family datasheet)
Qualification — Industrial
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free / RoHS — Yes (per distributor listing)
Gate Drive Logic Level — Logic-level compatible

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización