BSS127H6327XTSA2 vs BSS123IXTSA1 比較

詳細な並列比較: BSS127H6327XTSA2 メーカー: Infineon および BSS123IXTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 ✓ 生産中
Infineon
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 - 100V N-Ch 190mA OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS123IXTSA1 - 100V N-Ch 190mA OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS123IXTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS127H6327XTSA2 BSS123IXTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.03 $0.11
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
動作接合温度 -55 C to +150 C —
パッケージ SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT-23-3 (SOT-23-3)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 —
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS ステータス Compliant (lead-free) —
ハロゲンフリー Yes, per IEC 61249-2-21 —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS Small-Signal
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
RDS(on) (typical, VGS=10 V) — 2.4 ohm
RDS(on) (max per family datasheet) — 6 ohm
動作温度範囲 — -55C to +150C (per family datasheet)
Qualification — Industrial
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free / RoHS — Yes (per distributor listing)
Gate Drive Logic Level — Logic-level compatible

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