BSS127H6327XTSA2 vs BSS123IXTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS127H6327XTSA2 por Infineon e BSS123IXTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS127H6327XTSA2 BSS123IXTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,03 $0,11
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
Temperatura de junção de operação -55 C to +150 C —
Encapsulamento SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT-23-3 (SOT-23-3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 —
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Status RoHS Compliant (lead-free) —
Livre de halogênio Yes, per IEC 61249-2-21 —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS Small-Signal
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
RDS(on) (typical, VGS=10 V) — 2.4 ohm
RDS(on) (max per family datasheet) — 6 ohm
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (per family datasheet)
Qualification — Industrial
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free / RoHS — Yes (per distributor listing)
Gate Drive Logic Level — Logic-level compatible

Fichas técnicas e recursos

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