BSZ065N03LSATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von BSZ065N03LSATMA1 von Infineon und BSZ036NE2LSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | BSZ065N03LSATMA1 | BSZ036NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,38 | $0,42 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 30V | — |
| Transistortyp | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | 37 W |
| Gehäuse / Bauform | PG-TSDSON-8-FL (S308) | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | Single |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | — |
| Betriebstemperaturbereich | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| MSL-Level | 1 | 1 (Unlimited) |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| Product Family | — | OptiMOS 25V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Gehäuse | — | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |