BSZ065N03LSATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSZ065N03LSATMA1 por Infineon y BSZ036NE2LSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | BSZ065N03LSATMA1 | BSZ036NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,38 | $0,42 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 30V | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | 37 W |
| Encapsulado / Carcasa | PG-TSDSON-8-FL (S308) | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | Single |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| Nivel MSL | 1 | 1 (Unlimited) |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| Product Family | — | OptiMOS 25V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Encapsulado | — | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |