BSZ065N03LSATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ065N03LSATMA1 par Infineon et BSZ036NE2LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ065N03LSATMA1 | BSZ036NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,38 | $0,42 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 30V | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | 37 W |
| Boîtier / Format | PG-TSDSON-8-FL (S308) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | Single |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| Niveau MSL | 1 | 1 (Unlimited) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| Product Family | — | OptiMOS 25V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Boîtier | — | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |