BSZ065N03LSATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 比較
詳細な並列比較: BSZ065N03LSATMA1 メーカー: Infineon および BSZ036NE2LSATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BSZ065N03LSATMA1 | BSZ036NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.38 | $0.42 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 30V | — |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | 37 W |
| パッケージ / ケース | PG-TSDSON-8-FL (S308) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | Single |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | — |
| 動作温度範囲 | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| MSLレベル | 1 | 1 (Unlimited) |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| Product Family | — | OptiMOS 25V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| パッケージ | — | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |