BTS3118NHUMA1 vs BSL606SNH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BTS3118NHUMA1 von Infineon und BSL606SNH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BTS3118NHUMA1 BSL606SNH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,62 $0,19
FET Type N-Channel —
Switch Type Low-Side Power Switch —
Ausgangskonfiguration 1:1 —
Anzahl der Ausgänge 1 —
Continuous Drain Current 2.17 A —
Operating Voltage (Vbb) 6 V to 18 V nominal (overvoltage protected) —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 25C] —
Input Logic Level Logic-level (3.3 V / 5 V MCU compatible) —
Input Protection ESD protected —
Thermal Protection Thermal shutdown with latch —
Fault Protection Overload, short-circuit, overvoltage, current limit —
Gehäuse PG-SOT223-4 PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -40 C to +150 C junction —
RoHS Compliance Green product, RoHS compliant —
Process Technology Smart SIPMOS (vertical N-channel) —
Transistortyp — N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Technology — OptiMOS3 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 4.5 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 60 mOhm (max, VGS = 10 V)
Total Power Dissipation (PD) at Ta — 2 W
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Total Gate Charge (Qg) — 5.6 nC (max)
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (Tj)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
RoHS-Status — Compliant (Pb-free plating)
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)

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