BTS3118NHUMA1 vs BSL606SNH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BTS3118NHUMA1 par Infineon et BSL606SNH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BTS3118NHUMA1 BSL606SNH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $0,19
FET Type N-Channel —
Switch Type Low-Side Power Switch —
Configuration de sortie 1:1 —
Nombre de sorties 1 —
Continuous Drain Current 2.17 A —
Operating Voltage (Vbb) 6 V to 18 V nominal (overvoltage protected) —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 25C] —
Input Logic Level Logic-level (3.3 V / 5 V MCU compatible) —
Input Protection ESD protected —
Thermal Protection Thermal shutdown with latch —
Fault Protection Overload, short-circuit, overvoltage, current limit —
Boîtier PG-SOT223-4 PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -40 C to +150 C junction —
RoHS Compliance Green product, RoHS compliant —
Process Technology Smart SIPMOS (vertical N-channel) —
Type de transistor — N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Technology — OptiMOS3 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 4.5 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 60 mOhm (max, VGS = 10 V)
Total Power Dissipation (PD) at Ta — 2 W
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Total Gate Charge (Qg) — 5.6 nC (max)
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (Tj)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Statut RoHS — Compliant (Pb-free plating)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fiches techniques et ressources

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