BTS3118NHUMA1 vs BSL606SNH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BTS3118NHUMA1 por Infineon e BSL606SNH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BTS3118NHUMA1 BSL606SNH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $0,19
FET Type N-Channel —
Switch Type Low-Side Power Switch —
Configuração de saída 1:1 —
Número de saídas 1 —
Continuous Drain Current 2.17 A —
Operating Voltage (Vbb) 6 V to 18 V nominal (overvoltage protected) —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 25C] —
Input Logic Level Logic-level (3.3 V / 5 V MCU compatible) —
Input Protection ESD protected —
Thermal Protection Thermal shutdown with latch —
Fault Protection Overload, short-circuit, overvoltage, current limit —
Encapsulamento PG-SOT223-4 PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -40 C to +150 C junction —
RoHS Compliance Green product, RoHS compliant —
Process Technology Smart SIPMOS (vertical N-channel) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Technology — OptiMOS3 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 4.5 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 60 mOhm (max, VGS = 10 V)
Total Power Dissipation (PD) at Ta — 2 W
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Total Gate Charge (Qg) — 5.6 nC (max)
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (Tj)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Status RoHS — Compliant (Pb-free plating)
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fichas técnicas e recursos

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