BTS3118NHUMA1 vs BSL606SNH6327XTSA1 比較
詳細な並列比較: BTS3118NHUMA1 メーカー: Infineon および BSL606SNH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BTS3118NHUMA1 | BSL606SNH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | Power MOSFET Drivers | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.62 | $0.19 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Switch Type | Low-Side Power Switch | — |
| 出力構成 | 1:1 | — |
| 出力数 | 1 | — |
| Continuous Drain Current | 2.17 A | — |
| Operating Voltage (Vbb) | 6 V to 18 V nominal (overvoltage protected) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 25C] | — |
| Input Logic Level | Logic-level (3.3 V / 5 V MCU compatible) | — |
| Input Protection | ESD protected | — |
| Thermal Protection | Thermal shutdown with latch | — |
| Fault Protection | Overload, short-circuit, overvoltage, current limit | — |
| パッケージ | PG-SOT223-4 | PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | -40 C to +150 C junction | — |
| RoHS Compliance | Green product, RoHS compliant | — |
| Process Technology | Smart SIPMOS (vertical N-channel) | — |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) |
| Technology | — | OptiMOS3 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 4.5 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 60 mOhm (max, VGS = 10 V) |
| Total Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V (max) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 5.6 nC (max) |
| 動作温度範囲 | — | -55C to +150C (Tj) |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| RoHS ステータス | — | Compliant (Pb-free plating) |
| MSLレベル | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |